انجام پایان نامه و سمینارکارشناسی و کارشناسی ارشد رشته برق الکترونیک
  انجام پایان نامه و نوشتن مقاله در زمینه نانو الکترونیک با نرم افزار  ,hspice,ledit  توسط کارشناس ارشد برق الکترونیک

 

شبیه سازی و طراحی مدارهای منطقی با تکنولوژی cnfet

انجام پایان نامه و نوشتن مقاله در زمینه نانو الکترونیک با cnfet , cntfet و مقایسه آن با cmos

طراحی منبع جریان , comprator, multiplexer

مقایسه عملکرد multiplexer در نانو الکترونیک با ترانزیستورهای cnfet با ترانزیستورهای cmos

شبیه سازی مدراهای مختلف latch  d در نانو الکترونیک و cmos

بهینه سازی لایبری cnfet

و....

با قیمت مناسب

مهندس ساجدی  sara_sajedi91@yahoo.com

تلفن :   09370657242

 

   لطفا پیام های خود را  میل( mail) کنید

sara_sajedi91@yahoo.com

 

 

+ نوشته شده در  یکشنبه چهارم فروردین ۱۳۹۲ساعت 23:31  توسط سارا ساجدی  | 

پروژه های ارشد و کارشناسی در زمینه های مختلف نیمه هادی و تئوری و تکنولوژی

راهنمایی برای نصب و انجام پروزه ها با نرم افزار silvica

cnfet

 

+ نوشته شده در  یکشنبه بیست و سوم آذر ۱۳۹۳ساعت 21:50  توسط سارا ساجدی  | 

برای شروع ابتدا به اینترنت مراجعه شد تا معیاری از اندازه هایی که امروزه برای طراحی OPAMP استفاده می­شود بدست آید. چون با هر رنجی از W و L می­توان طراحی را انجام داد ولی در این طراحی سعی شد رنج مناسبی استفاده شود، لذا حدود رنجهای زیر انتخاب گردید:

W = 1µm-100µm

L = 0.5µm

بدیهی است در جاهایی از طراحی ممکن است مجبور باشیم از این حدود فراتر رویم.

هدف در این طراحی یک Balance معقول و منطقی در میان پارامترهای زیر در خروجی است:

1-  میزان Gain

3-  میزان حاشیه بهره Gain Margin

4-  میزان حاشیه فازPhase Margin

5-  میزان تلفات تغذیه مدار

 

 


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  شنبه بیست و دوم آذر ۱۳۹۳ساعت 22:43  توسط سارا ساجدی  | 

این نرم افزار برای مدارهای انالوگ و دیجیتال کاربرد دارد  و می توان بسیاری از مدارها را با ان طراحی نمود مانند برنامه زیر

**inverter
.options post method:gear  accurate=1
.lib 'MM018.l' tt
.op
*******************
*************************
ma    vdd   1     x1   vdd   pch    L=.18u W=6u
mna   x1    1     0    0    nch    L=.18u W=2u

.end

XCNT1 vdd a d vdd PCNFET Lch=Lg  Lgeff='Lgef' Lss=32e-9  Ldd=32e-9  
+ Kgate='Kox' Tox='Hox' Csub='Cb' Vfbp='Vfp' Dout=0  Sout=0  Pitch=20e-9  n1=m  n2=n  tubes=3

* pFET
XCNT2 d B out vdd PCNFET Lch=Lg  Lgeff='Lgef' Lss=32e-9  Ldd=32e-9  
+ Kgate='Kox' Tox='Hox' Csub='Cb' Vfbp='Vfp' Dout=0  Sout=0  Pitch=20e-9  n1=m  n2=n  tubes=3

 

این دو خط اخر برای تعریف ترانزیستور cnfet است


برچسب‌ها: hspice, opamp, full adder, l, edit
+ نوشته شده در  جمعه دوم آبان ۱۳۹۳ساعت 14:52  توسط سارا ساجدی  | 

 

پروژه های مخابرات نوری

  1. سوئیچ فیبرنوری
  2. Dense Wavelength Division Multiplexing DWDM
  3. سنسور های فشار ساخته شده با تکنولوژی MEMS
  4. فرآیند ساخت فيبرهاي نوري

 


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  سه شنبه پانزدهم مهر ۱۳۹۳ساعت 21:51  توسط سارا ساجدی  | 

سایت زیر اسامی مقالات معتبر را به شما نشان میدهند

http://ip-science.thomsonreuters.com/mjl/

در لینک زیر فهرست مقالات معتبر وزارت علوم قرار دارد

http://www.du.ac.ir/fa/index.php?option=com_content&id=230&Itemid=413

 

 

 

+ نوشته شده در  پنجشنبه دهم مهر ۱۳۹۳ساعت 17:51  توسط سارا ساجدی  | 

  1. طراحی ساختار مقایسه گر جریان با سرعت بالا امپدانس ورودی کم با تکنولوژی cnfet  و مقایسه کارایی آن باcmos
  2. شبیه سازی مدار های ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ در cnfet  و مقایسه این مدار در تکنولوژی cmos
  3.  طراحی مدارهای پایه جمع کننده ها و مدارات منطقی پایه در تکنولوژی cnfet ومقایسه سرعت و توان مصرفی  انها در cmos
  4. کاربرد چهارگانه تفاضلی درطراحی تقویت کننده فیدبک جریان
  5. طراحی و شبیه سازی فیلتر پایین گذر به روش gm-c  در فرکانس پایین
  6. پیاده سازی بلوکهای سازنده مدولاتورهای(   )دلتا سیگما میان گذر
  7. طراحی و شبیه سازی فیلتر پایین گذر در تکنولوزی مدارهای سوییچ شونده جریان
  8. طراحی فیلترهای انتگرال گیر با تکنیک جریان سوییچ شده
+ نوشته شده در  یکشنبه سی ام شهریور ۱۳۹۳ساعت 11:12  توسط سارا ساجدی  | 

نوشتن مقالات و کمک به دانشجویان برای نوشتن مقالات و ویرایش مقالات به زبان انگلیسی

درست نمودن و ویرایش مقالات نوشته به زبان انگلیسی و همکاری در چاپ مقالات در زمینه و رشته های مختلف و در ژورنال های معتبر ieee, springer, elsiver

+ نوشته شده در  سه شنبه هفتم مرداد ۱۳۹۳ساعت 10:34  توسط سارا ساجدی  | 

طراحی و شبیه سازی مقالات و پروژ ه های دانشجوی با نرک افزار hspice , ledit , matlab

پروژ های کار شده :

مدارهای مخابراتی

pll,vco, ring osilator,....

طراحی و شبیه سازی ic 741

مدارهای مجتمع خطی:

Gain-Boosted /Fully Differential Amplifier with CMFB Circuit

Design a dynamic logic circuit

Differential input single ended output cmos op-amp

Normal 0 false false false EN-US X-NONE FA

 DC-DC and DC-AC converters 

NOR DFP
MUTIPLEXER based low power full adder

 CMOS Full adder



....و

+ نوشته شده در  شنبه دوم فروردین ۱۳۹۳ساعت 12:46  توسط سارا ساجدی  | 


مقدمه:
بعد از کاهش طول ترانزیستور تا تکنولوژی 35/0میکرومتر ، طول ترانزیستور در mosfet وارد ناحیه زیر میکرون شد. تکنولوژی 65 نانو متر یک تکنولوزی متداول از سال 2006 بوده است و تکنولوژی 45 نانو متر از سال 2007 معرفی شد. از آنجا که CMOS ابعادش در حد نانومتر کاهش می یابد، تاثیرات نا ایده ال بر روی مشخصه V-I ماسفت های ایده ا ل قابل چشم پوشی نیست. این اثرات باعث سخت شدن کاهش حجم المانهای الکترونیکی برای بهبود عملکرد می شوند. ناهمخوانی بین طول گیت فیزیکی و ITRS باعث می شود که طول گیت بیشتر از تکنولوژی مورد استفاده شود. همانند آنچه که در شکل 1-1 نشان داده شده است.  به بیان دیگر به عنوان مهمترین فاکتور برای صنعت نیمه هادی ، پیچ اتصالات گیت وسایل (Lpich) در هر تکنولوژی با ضریب 7/. کاهش می یابد.

 

figure1


در سالهای اخیر شاهد افزایش تحقیقات در مورد نانو تکنولوژی ، به خصوص در نانو الکترونیک هستیم. این تکنولوژی در به کمال رسدنش متفاوت است. فرصت که در حال حاضر وجود دارد برای طراحی مدارهای پیچیده الکترونیکی، استفاده از تکنولوژی کاهش لبه سیلیکن و یا ترانزیستورهای نانو متری جدید است. تیوپ های کربنی (CNTs)  از همه این مواد جدید از جایگاه بهتری برخوردار است به علت خاصیت منحصر به فرد مکانیکی و خواص الکترونیک که دارد. ترانزیستورهای تیوپ کربنی اثر میدانی (CNFET) یکی از بهترین تکنولوژی برای گسترش و کامل نمودن تکنولوژی سیلیکون قدیمی می باشد به سه دلیل زیر اول: ویژگی های عملکردی و ساختار وسایل همانند وسایل CMOS می باشد. در این حالت می توان از فراستراکچر وسایل CMOS دوباره استفاده نمود. دوم: از فرایند ساخت CMOS دوباره استفاده نمود. مهمترین دلیل که CNFET بهترین وسایل عملی بوده اند قابلیت حمل اطلاعات آنها می باشد.


ادامه مطلب
+ نوشته شده در  دوشنبه هفتم بهمن ۱۳۹۲ساعت 22:3  توسط سارا ساجدی  |