انجام پایان نامه و سمینارکارشناسی و کارشناسی ارشد رشته برق الکترونیک قدرت کنترل
  انجام پایان نامه و نوشتن مقاله در زمینه نانو الکترونیک با نرم افزار  ,hspice,ledit  توسط کارشناس ارشد برق الکترونیک

 

شبیه سازی و طراحی مدارهای منطقی با تکنولوژی cnfet

انجام پایان نامه و نوشتن مقاله در زمینه نانو الکترونیک با cnfet , cntfet و مقایسه آن با cmos

طراحی منبع جریان , comprator, multiplexer

مقایسه عملکرد multiplexer در نانو الکترونیک با ترانزیستورهای cnfet با ترانزیستورهای cmos

شبیه سازی مدراهای مختلف latch  d در نانو الکترونیک و cmos

بهینه سازی لایبری cnfet

و....

با قیمت مناسب

مهندس ساجدی  sara_sajedi91@yahoo.com

تلفن :   09370657242

 

   لطفا پیام های خود را  میل( mail) کنید

sara_sajedi91@yahoo.com

 

 

+ نوشته شده در  یکشنبه چهارم فروردین 1392ساعت 23:31  توسط سارا ساجدی  | 

 

پروژه های مخابرات نوری

  1. سوئیچ فیبرنوری
  2. Dense Wavelength Division Multiplexing DWDM
  3. سنسور های فشار ساخته شده با تکنولوژی MEMS
  4. فرآیند ساخت فيبرهاي نوري
  5. ليزر با فيدبك توزيع شده (DFB)
  6. طراحی و شبيه سازی کدهای متعامد نوری برای سيستم های دستيابی چندگانه با تقسيم کد  نوری
  7. سنسورهای فیبر نوری پایه
  8. Wavelength Division Multiplexing      
  9. ساختار و کاربردها  SAW(surface acoustic wave)
  10. فیبر نوری  آزمایش و اندازه گیری
  11. کاربرد لیزرهای نیمه هادی در سیستمهای مخابرات نوری
  12. سوییچهای فیبر نوری
  13. قابلیت اطمینان در دیودهای لیزری
  14. لیزرهای قابل تنظیم
  15. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
  16. مخابرات ماهواره‎اي ليزري
  17. اثرات غیرخطی در فیبرنوری
  18. تقويت كننده‎هاي نوري با تمركز بر روي Raman Amplifier
  19. مروري بر روند رشد و توسعه فيبرهاي نوري تك مد در شبكه هاي مخابرات نوري
  20. آشكار سازهاي نوري     Optodetectors
  21. تقویت کنندهای نوری Optical Amplifiers
  22. فیلترهای نوری
  23. Indoor Optical Wireless Communication Systems
  24. سنسورهاي فراصوتي
  25. مروري بر روش هاي ساخت قطعات MEMS و آشنايي با سنسورهاي MEMS
  26. بررسی لیزرهای DFB
  27. IBM 9729 یک سیستم WDM برای شبکه های توزیع محلی (MAN)

 

+ نوشته شده در  سه شنبه پانزدهم مهر 1393ساعت 21:51  توسط سارا ساجدی  | 

سایت زیر اسامی مقالات معتبر را به شما نشان میدهند

http://ip-science.thomsonreuters.com/mjl/

در لینک زیر فهرست مقالات معتبر وزارت علوم قرار دارد

http://www.du.ac.ir/fa/index.php?option=com_content&id=230&Itemid=413

 

 

 

+ نوشته شده در  پنجشنبه دهم مهر 1393ساعت 17:51  توسط سارا ساجدی  | 

  1. طراحی ساختار مقایسه گر جریان با سرعت بالا امپدانس ورودی کم با تکنولوژی cnfet  و مقایسه کارایی آن باcmos
  2. شبیه سازی مدار های ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ در cnfet  و مقایسه این مدار در تکنولوژی cmos
  3.  طراحی مدارهای پایه جمع کننده ها و مدارات منطقی پایه در تکنولوژی cnfet ومقایسه سرعت و توان مصرفی  انها در cmos
  4. کاربرد چهارگانه تفاضلی درطراحی تقویت کننده فیدبک جریان
  5. طراحی و شبیه سازی فیلتر پایین گذر به روش gm-c  در فرکانس پایین
  6. پیاده سازی بلوکهای سازنده مدولاتورهای(   )دلتا سیگما میان گذر
  7. طراحی و شبیه سازی فیلتر پایین گذر در تکنولوزی مدارهای سوییچ شونده جریان
  8. طراحی فیلترهای انتگرال گیر با تکنیک جریان سوییچ شده
+ نوشته شده در  یکشنبه سی ام شهریور 1393ساعت 11:12  توسط سارا ساجدی  | 

نوشتن مقالات و کمک به دانشجویان برای نوشتن مقالات و ویرایش مقالات به زبان انگلیسی

درست نمودن و ویرایش مقالات نوشته به زبان انگلیسی و همکاری در چاپ مقالات در زمینه و رشته های مختلف و در ژورنال های معتبر ieee, springer, elsiver

+ نوشته شده در  سه شنبه هفتم مرداد 1393ساعت 10:34  توسط سارا ساجدی  | 

طراحی و شبیه سازی مقالات و پروژ ه های دانشجوی با نرک افزار hspice , ledit , matlab

پروژ های کار شده :

مدارهای مخابراتی

pll,vco, ring osilator,....

طراحی و شبیه سازی ic 741

مدارهای مجتمع خطی:

Gain-Boosted /Fully Differential Amplifier with CMFB Circuit

Design a dynamic logic circuit

Differential input single ended output cmos op-amp

Normal 0 false false false EN-US X-NONE FA

 DC-DC and DC-AC converters 

NOR DFP
MUTIPLEXER based low power full adder

 CMOS Full adder



....و

+ نوشته شده در  شنبه دوم فروردین 1393ساعت 12:46  توسط سارا ساجدی  | 


مقدمه:
بعد از کاهش طول ترانزیستور تا تکنولوژی 35/0میکرومتر ، طول ترانزیستور در mosfet وارد ناحیه زیر میکرون شد. تکنولوژی 65 نانو متر یک تکنولوزی متداول از سال 2006 بوده است و تکنولوژی 45 نانو متر از سال 2007 معرفی شد. از آنجا که CMOS ابعادش در حد نانومتر کاهش می یابد، تاثیرات نا ایده ال بر روی مشخصه V-I ماسفت های ایده ا ل قابل چشم پوشی نیست. این اثرات باعث سخت شدن کاهش حجم المانهای الکترونیکی برای بهبود عملکرد می شوند. ناهمخوانی بین طول گیت فیزیکی و ITRS باعث می شود که طول گیت بیشتر از تکنولوژی مورد استفاده شود. همانند آنچه که در شکل 1-1 نشان داده شده است.  به بیان دیگر به عنوان مهمترین فاکتور برای صنعت نیمه هادی ، پیچ اتصالات گیت وسایل (Lpich) در هر تکنولوژی با ضریب 7/. کاهش می یابد.

 

figure1


در سالهای اخیر شاهد افزایش تحقیقات در مورد نانو تکنولوژی ، به خصوص در نانو الکترونیک هستیم. این تکنولوژی در به کمال رسدنش متفاوت است. فرصت که در حال حاضر وجود دارد برای طراحی مدارهای پیچیده الکترونیکی، استفاده از تکنولوژی کاهش لبه سیلیکن و یا ترانزیستورهای نانو متری جدید است. تیوپ های کربنی (CNTs)  از همه این مواد جدید از جایگاه بهتری برخوردار است به علت خاصیت منحصر به فرد مکانیکی و خواص الکترونیک که دارد. ترانزیستورهای تیوپ کربنی اثر میدانی (CNFET) یکی از بهترین تکنولوژی برای گسترش و کامل نمودن تکنولوژی سیلیکون قدیمی می باشد به سه دلیل زیر اول: ویژگی های عملکردی و ساختار وسایل همانند وسایل CMOS می باشد. در این حالت می توان از فراستراکچر وسایل CMOS دوباره استفاده نمود. دوم: از فرایند ساخت CMOS دوباره استفاده نمود. مهمترین دلیل که CNFET بهترین وسایل عملی بوده اند قابلیت حمل اطلاعات آنها می باشد.


افرایش دهنده تکنولوژی همانند کرنش یا تغییر شکل کمک می کند به تکنولوژی cmos تا به طول 45 نانو متر برسد. از انجا که طول گیت به 25 نانو متر کاهش یابد فراسوی تکنولوژی 65 نانو متر ، جریان نشتی و تغییرات پارامترهای وسایل یکی از مسایل قابل اهمیت در بهینه سازی وسایل می باشد. در حقیقت، این موضوع می تواند مورد بحث شده باشد که طول گیت زیر 25 نانو متر نمی تواند دارای مزایای همانند یک وسیله گیت کوتاه که قبلا توان و عملکرد در سطح سیستم داشته باشد. از بزرگترین معایب ان : کمبود یک اکسید گیت نازک (همراه با جریان نشتی کم) برای کنترل تاثیرات اثر کانال کوتاه، افزایش مشارکت خازنهای پارازیتکی لبه ها در خازن گیت نهای و افزایش مشارکت مقاومت سورس و درین در مقاومت روشن وسیله می باشد.
1-1 نانو متر ماسفت
از آنجا که cmos  به سمت مقیاس نانو متر کوچک می شود بسیاری وسایل ناایده ال باعث می شود که مشخصه ولتاژ و جریان به صورت پایه ای با mosfet ایده ال متفاوت است. برای مثال مقاومت سری درین و سورس یک المان غیر قابل صرف نظر در زمان روشن بودن ترانزیستور محسوب می شود. طرح های اتصالات فلزی درین و سورس (شاتکی) باعث تغییرات در مشخصه ولتاژ به جریان می شود. وسایل که سیلیکن نیستند همانند تیوپ های نانو اثر میدانی همراه با فیزیک متفاوت شبیه ترانزیستورهای بالستیک در کانال[3] و موانع شاتکی در درین و سورس عمل می کنند. [7]
1.2  ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوپ کربنی
به عنوان یک المان جدید، CNFET از یک سری از محدودیت ها نسبت به ترانزیستورهای سیلیکنی جلو گیری می کنند. همه اتم های کرین در CNT به دیگر با SP2 هیبریدازدن شده محدود شده اند و  هیچ محدوده اویزانی که قادر به پیوستن به مواد دی الکتریک با ضریب بالا باشد، وجود ندارد. در این قسمت به معرفی مشخصات ابتدای CNFET می پردازیم.
1.2.1 نانو تیوپ کربنی
یک دیوار تیوپ نانو کربنی (SWCNT) همانند صفحه گرافیکی مشکی دیده می شود که چین خورده شده و متصل شده در راستای یک بردار خمیدهn2+ ch=n1 که [] یک واحد لتیس است

 

figure2



شاخص (n1,n2) یک شاخص مثبت که برای خصلت کایرالی در یک تیوپ مشخص شده است. [9] طول ch محیط دایره در CNTاست.

یک دیوار CNT به یکی از گروه های شکل 1-5 الف تقسیم بندی می شوند. که این دسته بندی به عدد کایرال (n1,n2) بستگی دارد. 1- در حالت ساده N1=N2 باشد 2- حالت زیکزاک n1=0,n2=0   3-  چیرال (همه دیگر شاخص ها). قطر در یک CNT به وسیله فرمول   یک الکترون در CNT همراه با یک سطح مسطح اتمی مشخص شده است. به علت شباهت ساختار یک بعدی در CNT ، حرکت یک الکترون ها در نانو تیوپ خیلی محدود می باشد. الکترون ها ممکن است که به صورت ازاد در یک جهت تیوپ به صورت ازاد حرکت کنند. در نتیجه ، تمام زوایای پاشیدگی ممنوع می شود. تنها پاشیدگی در راستای رو به جلو  برای حامل ها در نانو تیوپ ممکن است. در یک مشاهده آزمایشی ، ماورا طولانی الاستیکی پاشیدگی که با MFP (طول ازاد متوسط) که تقریبا 1 میکرو متر است [3][4][5][10] در ترانزیستورها با حامل الاستیک و نزدیک الاستیک نشان داده شده است. قابلیت حرکت بالا که معمولا در رنج   که از هدایت آزمایشی وسیله مشتق شده است. این مقادیر در مراجع گوناگون مورد بررسی می شود. [11][12] همچنین در بررسی های تئوری نیز قابلیت تحرک تقریبا  برای نیمه هادی CNT تخمین زده شده است. [13] قابلیت حرکت جریان در CNT جند جداره بیشتر از    تعیین شده است. که این بالاتر از 3 برابر ماکزیم قابلیت حمل جریان در مس که محدود شده با تاثیرات انتقال می باشد. که بدون کاهش عملکرد در زمان عملیات در بالاتر از دمای اتاق در نظر گرفته شده است. [14] مشخصات هدایت و انتقال حامل های مافوق درCNT یک عملکرد مطلوب را برای نانو الکترونیک ایجاد می کند مثلا المانهای نانو الکترونیک یا اتصالات میانی المانهای نانو الکترونیک.
1.2.2  CNFET 
  عملکرد مهم ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوپ (CNFET) این است که این ترانزیستور همانند المانها ی سیلیکنی قدیمی می باشند. این المان 3 یا 4 پورتی شامل تیوپ های نانو نیمه هادی می باشند که همانند یک کانال هدایت عمل می کنند. که این همانند یک پل بین اتصالات سورس و درین می باشد. این المان از طریق گیت خاموش و یا روشن الکتریکی می شود. ساختار وسایل یک بعدی کنترل استاتیکی گیت بهتری را نسبت کانال المانهای ساختارهای 3 بعدی (بالک cmos) و یا المانهای 2 بعدی (SOI خیلی تهی شده) ایجاد می کند [15]. در رابطه با مکانیزم عملکرد المانها CNFET می توانند یک FET کنترل شده با موانع شاتکی (SB-CNFET)  ویا   FET با MOSFET طبقه بندی بشوند. [3][4][16] . هدایت در SB-CNFET به وسیله حاما های اکثریت نونل زده در میان /

+ نوشته شده در  دوشنبه هفتم بهمن 1392ساعت 22:3  توسط سارا ساجدی  | 

پروژ ه های  تکنولوژی  و ساخت ادوات نیمه هادی

1.        بررسی مدارهای مجتمع MIC و تکنولوژی آن (s Microwave Integrated Circuit)

2.        SiGe heterojunction bipolar transistor

3.        تبخير پرتوي الكترون E-Beam Evaporation

  1. Fabrication techniques & Accelerometer sensors types
  2. سنسورهای هیدروژن

6.        Large Signal High Frequency FET Modelling

7.        فیلتر موج آکوستیکی حجمی لایه نازک

8.        MEMS Based Optical Switches

9.        کاربرد نظامی قطعات MEMS

10.    Microfabrication Using X-Ray Lithography

11.    پرتو افکنی یونی دسته ای

12.    فرایند ساخت   LCD

13.    Reliability in MEMS Packaging

14.    اندازه گیری جرم توسط  سیستم    QCM

15.    سنسورهای نیرو و گشتاور

16.    Theory & Technology of  solar cells

17.    Capacitive RF MEMS Shunt Switches

18.    بررسی فیزیک و تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای ماسفت دو گیته

Theory & Technology of Double-Gate MOSFETs

19.    Electrochemical deposition

20.    هاديهاي شفاف (SnO2)

21.    تكنيك هاي ساخت  انواع سنسورهاي شتاب با MEMS

22.    تئوری و تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای دوقطبی با پیوند ناهمگن SiGe))

23.    مروري بر تكنولوژي ساخت سلول هاي خورشيدي با تكيه بر افزايش راندمان آنها

24.    کاربرد نظامی قطعات  MEMS


                                       تماس :09370657242

                                         sara_sajedi91@yahoo.com

+ نوشته شده در  شنبه چهاردهم اردیبهشت 1392ساعت 22:51  توسط سارا ساجدی  | 

انجام پروژ ه های برق قدرت با نرم افزار DIGSILENT , MATLAB

در زمینه های مختلف مانند:

ساخت شبکه های انتقال و انجام محاسبات پخش بار مربوطه

آنالیز پخش بار یک شبکه (گوس ساید، نیوتون -رافسون وDC)

منابع تجدید پذیر در تولید پراکنده



+ نوشته شده در  یکشنبه یازدهم فروردین 1392ساعت 21:42  توسط سارا ساجدی  |